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Rambus 产品介绍
由1990年Mike Farmwald与Mark
Horowitz创立的Rambus公司,以开发高速串行式专属内存接口技术为目标。初期并没有很顺利的被推广,直到1994年7月日本任天堂(Nintendo)在Nintendo
64游戏主机采用Rambus为内存架构之后,Rambus内存技术才开始获得业界重视,Rambus并且以可随着时脉而延伸的高效能特性,在1997年获得Intel青睐而雀屏中选,合作开发下一代计算机平台所需要的内存与芯片组技术,称为Direct
Rambus DRAM(DRDRAM)。
DRDRAM一个信道的内存资料宽度为16位,系统控制时脉可高达400MHz,利用一个驱动讯号的时脉上升与下降之间双向传输资料,一个信道下的传输速率为400MHz×2×16Bits=1.6GB/s,是PC100内存(100MHz×64bits=800MB/s)频宽的两倍。而且DRDRAM内存系统也可以展延出2个或4个信道,让频宽倍增。
RIMM模块 是下一世代的内存模块主要规格之一。它是Intel公司于1999年推出芯片组所支持的内存模块。其频宽高达1.6Gbyte/sec。DRDRAM亦作Direct Rambus DRAM 或DRDRAM。是下一代的主流内存标准之一,由Rambus 公司所设计发展出来,交由世界各大主要内存制造厂商生产,生产的厂商必交付Rambus公司权利金。Intel将自1999年起正式支持Rambus相关技术。
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以下即為常見記憶體模組的頻寬:
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| 模組 |
頻寬 |
| PC-66 DIMM (SDRAM) |
528M Byte/sec |
| PC-100 DIMM (SDRAM) |
800M Byte/sec |
| PC-133 DIMM (SDRAM) |
1.06G Byte/sec |
| PC-266 DIMM (DDR) |
2.12G Byte/sec |
| Rambus RIMM (Direct RDRAM) |
1.6G Byte/sec |
特性:
高速的传输频率
- 每秒1.6GB的传输速率
- 控制信号总线与数据总线分开,
提高资料存取效率
- 每颗DRAM内含16个Bank,
可同时处理4笔资料
延迟时间短
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提供3种Prechange指令,
使控制器运作更有弹性,
并缩短资料读取所需时间消耗功率低
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使用多重低功率状态(low power state), 降低消耗功率,
而且缩短回到使用状态(active
state)所需时间
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系统进入省电状态时, 内存每隔固定时间可自行充电(self-refresh),
以维护资料内容
使用RSL(Rambus Signal Level), 可达800MHz的工作频率
支持SPD(Serial Presence Detect)
DRAM特性
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X16: 使用于桌上型计算机应用
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X18: 增加错误自动较正(ECC)功能
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RIMM模块与PC100 DIMM模块的差异 |
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RIMM 模块 |
PC100 DIMM 模块 |
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应用系统的总线频率 |
133MHz |
100MHz |
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DRAM 颗粒 |
Direct Rambus DRAM |
PC100 SDRAM |
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DRAM封装方式 |
BGA |
TSOP |
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工作电压 |
2.5V |
3.3V |
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模块脚数 |
184-pin |
168-pin |
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内存工作频率 |
800MHz |
100MHz |
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频宽 |
1.6GB/sec |
800MB/sec |
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资料输出速率 |
16-bit/serial |
64-bit/parallel |
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电路板层数 |
8层 |
6层 |
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