Rambus 產品介紹
由1990年Mike Farmwald與Mark Horowitz創立的Rambus公司,以開發高速串列式專屬記憶體介面技術為目標。初期並沒有很順利的被推廣,直到1994年7月日本任天堂(Nintendo)在Nintendo 64遊戲主機採用Rambus為記憶體架構之後,Rambus記憶體技術才開始獲得業界重視,Rambus並且以可隨著時脈而延伸的高效能特性,在1997年獲得Intel青睞而雀屏中選,合作開發下一代電腦平台所需要的記憶體與晶片組技術,稱為Direct Rambus DRAM(DRDRAM)。

DRDRAM一個通道的記憶體資料寬度為16位元,系統控制時脈可高達400MHz,利用一個驅動訊號的時脈上升與下降之間雙向傳輸資料,一個通道下的傳輸速率為400MHz×2×16Bits=1.6GB/s,是PC100記憶體(100MHz×64bits=800MB/s)頻寬的兩倍。而且DRDRAM記憶體系統也可以展延出2個或4個通道,讓頻寬倍增。

RIMM模組 是下一世代的記憶體模組主要規格之一。它是Intel公司於1999年推出晶片組所支援的記憶體模組。其頻寬高達1.6Gbyte/sec。

DRDRAM亦作Direct Rambus DRAM 或DRDRAM。是下一代的主流記憶體標準之一,由Rambus 公司所設計發展出來,交由世界各大主要記憶體製造廠商生產,生產的廠商必交付Rambus公司權利金。Intel將自1999年起正式支援Rambus相關技術。

以下即為常見記憶體模組的頻寬:

模組 頻寬
PC-66 DIMM (SDRAM) 528M Byte/sec
PC-100 DIMM (SDRAM) 800M Byte/sec
PC-133 DIMM (SDRAM) 1.06G Byte/sec
PC-266 DIMM (DDR) 2.12G Byte/sec
Rambus RIMM (Direct RDRAM) 1.6G Byte/sec

特性:
高速的傳輸頻率

  • 每秒1.6GB的傳輸速率
  • 控制信號匯流排與資料匯流排分開, 提高資料存取效率
  • 每顆DRAM內含16個Bank, 可同時處理4筆資料

延遲時間短

  • 提供3種Prechange指令, 使控制器運作更有彈性, 並縮短資料讀取所需時間
    消耗功率低
  • 使用多重低功率狀態(low power state), 降低消耗功率, 而且縮短回到使用狀態(active state)所需時間
  • 系統進入省電狀態時, 記憶體每隔固定時間可自行充電(self-refresh), 以維護資料內容

使用RSL(Rambus Signal Level), 可達800MHz的工作頻率
支援SPD(Serial Presence Detect)

DRAM特性

  • X16: 使用於桌上型電腦應用
  • X18: 增加錯誤自動較正(ECC)功能

RIMM模組與PC100 DIMM模組的差異

  RIMM 模組 PC100 DIMM 模組
應用系統的匯流排頻率 400MHz  100MHz
DRAM 顆粒 Direct Rambus DRAM PC100 SDRAM
DRAM封裝方式 BGA  TSOP
工作電壓 2.5V 3.3V
模組腳數 184-pin 168-pin
記憶體工作頻率 800MHz 100MHz
頻寬 1.6GB/sec 800MB/sec
資料輸出速率 16-bit/serial 64-bit/parallel
電路板層數 8層 6層


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